BCW60C,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BCW60C,215中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW60C,215引脚图与封装图
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在线购买BCW60C,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW60C,215 | NXP 恩智浦 | BCW60 系列 32 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号BCW60C,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW60C,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB NPN | 当前型号 | BCW60 系列 32 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： BCW60C,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 NPN 250mW | 完全替代 | TO-236AB NPN 32V 0.1A | BCW60C,215和BCW60C,235的区别 |
| 型号： BCW60C 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 32V 100mA 0.35W | 功能相似 | NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | BCW60C,215和BCW60C的区别 |