BLF6G22L-40BN,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 40W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-1112A

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 345mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 19dB 2.5W CDFM6

得捷:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 40 W, 19 dB, 28 V, LDMOS, SOT-1112A

BLF6G22L-40BN,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 2.5 W

增益 19 dB

测试电流 345 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 7

封装 SOT-1112

外形尺寸

封装 SOT-1112

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6G22L-40BN,112引脚图与封装图

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BLF6G22L-40BN,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 40W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-1112A	搜索库存