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BCR48PNH6327XTSA1

BCR48PNH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit
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Two galvanic internal isolated NPN/PNP Transistors in one package
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Built in bias resistor NPN: R1 = 47kΩ, R2 = 47kΩ PNP: R1= 2.2kΩ, R2 = 47kΩ
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Pb-free RoHS compliant package
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Qualified according AEC Q101
BCR48PNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 70mA/100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR48PNH6327XTSA1引脚图与封装图
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BCR48PNH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存