锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BLF8G22LS-140U

BLF8G22LS-140U

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B


立创商城:
BLF8G22LS-140U


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Blister


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 2.0 to 2.2 GHz, 140 W, 18.5 dB, 28V, SOT502B, LDMOS


BLF8G22LS-140U中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11 GHz

输出功率 33 W

增益 18.5 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G22LS-140U引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF8G22LS-140U
型号 制造商 描述 购买
BLF8G22LS-140U Ampleon USA RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF8G22LS-140U
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G22LS-140U

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS

当前型号

型号: BLF8G22LS-140J

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS

BLF8G22LS-140U和BLF8G22LS-140J的区别