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BLP05M7200Y

BLP05M7200Y

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 4Pin HSOP-F T/R

RF Mosfet LDMOS(双),共源 28 V 2 mA 440MHz 21dB 210W 4-HSOP


得捷:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1139


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP-F T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 425- 450 MHz, 200 W, 21 dB, 28 V, LDMOS, Plastic


BLP05M7200Y中文资料参数规格
技术参数

频率 440 MHz

输出功率 210 W

增益 21 dB

测试电流 2 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 4

封装 HSOP-4

外形尺寸

封装 HSOP-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP05M7200Y引脚图与封装图
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BLP05M7200Y Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 4Pin HSOP-F T/R 搜索库存