BZX79C3V9
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BZX79C3V9中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 3.90 V
电容 175 pF
容差 ±5 %
额定功率 500 mW
击穿电压 3.90 V
正向电压 1.5V @100mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 3.9 V
正向电压Max 1.5V @100mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 4.56 mm
宽度 1.91 mm
高度 1.91 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 -1.6 mV/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX79C3V9引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BZX79C3V9
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX79C3V9 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.9V 3.9V | 当前型号 | 齐纳二极管 Zeners | 当前型号 |
| 型号： BZX79C3V9_T50A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.9V | 完全替代 | 500mW，BZX79C 系列，Fairchild Semiconductor### 齐纳二极管，Fairchild Semiconductor | BZX79C3V9和BZX79C3V9_T50A的区别 |
| 型号： 1N5228BTR 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.9V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5228BTR 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-204AH, 5 %, 2 引脚, 200 °C | BZX79C3V9和1N5228BTR的区别 |
| 型号： 1N5228B 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-35 3.9V 3.9V | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5228B. 齐纳二极管 | BZX79C3V9和1N5228B的区别 |