极性 NPN+PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 130 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCR10PNH6730XTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BCR10PNH6730XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 SC-88封装 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCR10PNH6730XTMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 6-VSSOP NPN PNP 250mW | 当前型号 | Infineon BCR10PNH6730XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 SC-88封装 | 当前型号 | |
型号: BCR10PNH6327XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL NPN PNP 250mW | 类似代替 | BCR10PN 系列 NPN/PNP 50 V 100 mA 硅 数字 晶体管 阵列 - SOT-363-6 | BCR10PNH6730XTMA1和BCR10PNH6327XTSA1的区别 | |
型号: PUMD3,115 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia PUMD3,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 SC-88封装 | BCR10PNH6730XTMA1和PUMD3,115的区别 | |
型号: PUMD3,135 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V | BCR10PNH6730XTMA1和PUMD3,135的区别 |