BLS6G2731-6G,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.7 to 3.1GHz, 6W, 15dB, 32V, LDMOS, SOT-975C

RF Mosfet LDMOS 32V 25mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB 6W CDFM2

得捷:
TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin CDFM Bulk

富昌:
BLS6G2731 系列 2.7 - 3.1 GHz 6 W LDMOS S波段雷达功率晶体管 - SOT975

RfMW:
RF Power Transistor, 2.7 to 3.1 GHz, 6 W, 15 dB, 32 V, LDMOS, SOT-975C

Win Source:
RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C / RF Mosfet LDMOS 32 V 25 mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB 6W CDFM2

BLS6G2731-6G,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.7GHz ~ 3.1GHz

额定电流 3.5 A

输出功率 6 W

增益 15 dB

测试电流 25 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-975

外形尺寸

封装 SOT-975

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLS6G2731-6G,112引脚图与封装图

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BLS6G2731-6G,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.7 to 3.1GHz, 6W, 15dB, 32V, LDMOS, SOT-975C	搜索库存