BCR08PNH6727XTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 170MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-6

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363

立创商城:
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

BCR08PNH6727XTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 170 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR08PNH6727XTSA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BCR08PNH6727XTSA1

型号	制造商	描述	购买
BCR08PNH6727XTSA1	Infineon 英飞凌	1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V	搜索库存