BLF25M612G,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 12W, 18dB, 28V, SOT975C, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 2.45GHz 19dB 12W CDFM2

得捷:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin CDFM Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.4 to 2.5 GHz, 12 W, 18 dB, 28 V, SOT975C, LDMOS

BLF25M612G,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.45 GHz

输出功率 12 W

增益 19 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-975

外形尺寸

封装 SOT-975

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF25M612G,112引脚图与封装图

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BLF25M612G,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 12W, 18dB, 28V, SOT975C, LDMOS	搜索库存