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BLF888DU
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin SOT-539A Blister

RF Mosfet LDMOS 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539A


得捷:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin SOT-539A Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 470- 860 MHz, 600 W, 17 dB, LDMOS


BLF888DU中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 250 W

增益 21 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 210pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF888DU引脚图与封装图
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BLF888DU Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 104V 5Pin SOT-539A Blister 搜索库存