BLF647PS,112
数据手册.pdf
Ampleon USA
分立器件
BLF647PS,112中文资料参数规格
技术参数
频率 1.3 GHz
输出功率 200 W
增益 17.5 dB
测试电流 100 mA
输入电容Ciss 78pF @32VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 32 V
封装参数
引脚数 5
封装 SOT-1121
外形尺寸
封装 SOT-1121
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 225℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BLF647PS,112引脚图与封装图
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在线购买BLF647PS,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF647PS,112 | Ampleon USA | RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B | 搜索库存 |
替代型号BLF647PS,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF647PS,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B | 当前型号 |
| 型号： BLF647PSJ 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B | BLF647PS,112和BLF647PSJ的区别 |