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BLF6G10LS-135RN:11

BLF6G10LS-135RN:11

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Blister


BLF6G10LS-135RN:11中文资料参数规格
技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

额定电流 32 A

输出功率 26.5 W

增益 21 dB

测试电流 950 mA

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6G10LS-135RN:11引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF6G10LS-135RN:11 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Blister 搜索库存
替代型号BLF6G10LS-135RN:11
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF6G10LS-135RN:11

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Blister

当前型号

型号: BLF6G10-135RN,112

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A

BLF6G10LS-135RN:11和BLF6G10-135RN,112的区别