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BLS6G2735LS-30,112

BLS6G2735LS-30,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 2.7- 3.5GHz, 30W, 13dB, 32V, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 32V 50mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 13dB 30W CDFM2


得捷:
RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 3-Pin CDFM Bulk


安富利:
RF Components


富昌:
BLS6G2735L-30 系列 2.7 - 3.5 GHz 30 W LDMos 功率 晶体管 - SOT1135B


RfMW:
RF Power Transistor, 2.7- 3.5 GHz, 30 W, 13 dB, 32 V, LDMOS


BLS6G2735LS-30,112中文资料参数规格
技术参数

频率 3.1GHz ~ 3.5GHz

上升时间 20 ns

输出功率 30 W

增益 13 dB

测试电流 50 mA

下降时间 10 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-1135

外形尺寸

封装 SOT-1135

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLS6G2735LS-30,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLS6G2735LS-30,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 2.7- 3.5GHz, 30W, 13dB, 32V, LDMOS 搜索库存