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BLF2425M7LS250P,11

BLF2425M7LS250P,11

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 250W, 13dB, 28V, LDMOS, SOT-539B

RF Mosfet LDMOS(双),共源 2.45GHz 15dB 250W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-539B Bulk


富昌:
晶体管 RF MOSFET 功率 2.4-2.5GHz 65V 13dB


RfMW:
RF Power Transistor, 2.4 to 2.5 GHz, 250 W, 13 dB, 28 V, LDMOS, SOT-539B


BLF2425M7LS250P,11中文资料参数规格
技术参数

频率 2.45 GHz

输出功率 250 W

增益 15 dB

测试电流 20 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

高度 4.7 mm

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF2425M7LS250P,11引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF2425M7LS250P,11 Ampleon USA RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 250W, 13dB, 28V, LDMOS, SOT-539B 搜索库存
替代型号BLF2425M7LS250P,11
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF2425M7LS250P,11

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 250W, 13dB, 28V, LDMOS, SOT-539B

当前型号

型号: BLF2425M7LS250P:11

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

Trans MOSFET N-CH 65V 5Pin SOT-539B T/R

BLF2425M7LS250P,11和BLF2425M7LS250P:11的区别