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BLP05H6110XRY

BLP05H6110XRY

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 10 to 600MHz, 110W, 27dB, 50V, SOT1223-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 20mA 108MHz 27dB 110W 4-HSOPF


得捷:
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT1223-2


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 135V 4-Pin HSOP-F T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 10 to 600 MHz, 110 W, 27 dB, 50 V, SOT1223-2, LDMOS


BLP05H6110XRY中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

输出功率 110 W

增益 27 dB

测试电流 20 mA

输入电容Ciss 46pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 135 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-1223-2

外形尺寸

封装 SOT-1223-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP05H6110XRY引脚图与封装图
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在线购买BLP05H6110XRY
型号 制造商 描述 购买
BLP05H6110XRY Ampleon USA RF Power Transistor, 10 to 600MHz, 110W, 27dB, 50V, SOT1223-2, LDMOS 搜索库存