BLF8G27LS-100J
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF8G27LS-100J中文资料参数规格
技术参数
频率 2.5GHz ~ 2.7GHz
输出功率 25 W
增益 17 dB
测试电流 900 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 28 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF8G27LS-100J引脚图与封装图
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在线购买BLF8G27LS-100J
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF8G27LS-100J | Ampleon USA | RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS | 搜索库存 |
替代型号BLF8G27LS-100J
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF8G27LS-100J 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS | 当前型号 |
| 型号： BLF8G27LS-100U 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS | BLF8G27LS-100J和BLF8G27LS-100U的区别 |