BC32716TAR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC32716TAR中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 630
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC32716TAR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC32716TAR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC32716TAR | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号BC32716TAR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC32716TAR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92-3 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 当前型号 |
| 型号： BC32716TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC32716TA 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE | BC32716TAR和BC32716TA的区别 |
| 型号： BC327-16-AP 品牌： 美微科 封装： TO-92 PNP | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP -0.8A 0.625W | BC32716TAR和BC327-16-AP的区别 |