BZX55B10-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 0.5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZX55B10-TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55B10-TR | Vishay Semiconductor 威世 | 500mW，BZX55B 系列，Vishay Semiconductor ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |