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BLF884P,112

BLF884P,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 350W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-1121A

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 650mA 860MHz 21dB 150W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin CDFM Bulk


富昌:
350 W LDMOS 射频 功率 晶体管 用于广播发射机和工业应用


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.86 GHz, 350 W, 20 dB, 50 V, LDMOS, SOT-1121A


BLF884P,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 150 W

增益 21 dB

测试电流 650 mA

输入电容Ciss 105pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1121

外形尺寸

封装 SOT-1121

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF884P,112引脚图与封装图
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在线购买BLF884P,112
型号 制造商 描述 购买
BLF884P,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 350W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-1121A 搜索库存