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BLF7G24LS-100,112

BLF7G24LS-100,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 28A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 28A 3-Pin SOT-502B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 2.3 to 2.4 GHz, 100 W, 17.3 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502B


BLF7G24LS-100,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.3GHz ~ 2.4GHz

输出功率 20 W

增益 18 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF7G24LS-100,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF7G24LS-100,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 28A 3Pin SOT-502B Blister 搜索库存
替代型号BLF7G24LS-100,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF7G24LS-100,112

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 28A 3Pin SOT-502B Blister

当前型号

型号: BLF7G24LS-100,118

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 65V 28A 3Pin SOT-502B T/R

BLF7G24LS-100,112和BLF7G24LS-100,118的区别