BF512,235
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BF512,235中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电流 30 mA
耗散功率 250 mW
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 20 V
测试电流 5 mA
额定电压 20 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF512,235引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BF512,235
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF512,235 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT23 | 当前型号 | Trans JFET N-CH 20V 30mA 3Pin TO-236AB T/R | 当前型号 |
| 型号： BF510,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB 250mW | 完全替代 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | BF512,235和BF510,215的区别 |
| 型号： BF512,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT23 250mW | 完全替代 | N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。 | BF512,235和BF512,215的区别 |