BLM7G1822S-80ABY

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1211-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS（双） 28 V 40 mA 2.17GHz 31dB 4W 16-HSOPF

得捷:
RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111

艾睿:
LDMOS 2-STAGE POWER MMIC

RfMW:
RF Power Transistor, 1.805 to 2.170 GHz, 80 W, 28 dB, 28 V, SOT1211-2, LDMOS

BLM7G1822S-80ABY中文资料参数规格

技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 4 W

增益 31 dB

测试电流 40 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 16

封装 SOT-1211-2

外形尺寸

封装 SOT-1211-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLM7G1822S-80ABY引脚图与封装图

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BLM7G1822S-80ABY	Ampleon USA	RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1211-2, LDMOS	搜索库存