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BLF881S,112

BLF881S,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.01 to 0.86GHz, 140W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT-467B

RF Mosfet LDMOS 50V 500mA 860MHz 21dB 140W LDMOST


得捷:
RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 3-Pin LDMOST Bulk


富昌:
BLF881 系列 1000 MHz 140 W 21 dB 超高频 功率 LDMOS 晶体管 - SOT467


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 3-Pin LDMOST Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.01 to 0.86 GHz, 140 W, 21 dB, 50 V, LDMOS, SOT-467B


BLF881S,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 140 W

增益 21 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 100pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF881S,112引脚图与封装图
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在线购买BLF881S,112
型号 制造商 描述 购买
BLF881S,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.01 to 0.86GHz, 140W, 21dB, 50V, LDMOS, SOT-467B 搜索库存