BLA6H0912L-1000U

Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 100V 5Pin SOT-539A Blister

RF Mosfet LDMOS（双），共源 50 V 200 mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539A

得捷:
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 5-Pin SOT-539A Blister

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 5-Pin SOT-539A Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 0.96 to 1.2 GHz, 1000 W, 16 dB, LDMOS, SOT-539A

BLA6H0912L-1000U中文资料参数规格

技术参数

频率 1.03 GHz

上升时间 11 ns

输出功率 1000 W

增益 15.5 dB

测试电流 200 mA

下降时间 5 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLA6H0912L-1000U引脚图与封装图

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