频率 100 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCV72,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT23 NPN 250mW | 当前型号 | BCV72 系列 60 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SOT-23-3 | 当前型号 | |
型号: BC846B-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 NPN 65V 100mA 350mW | 功能相似 | BC846B 系列 NPN 65 V 300 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-23-3 | BCV72,215和BC846B-7-F的区别 | |
型号: MMBT2484LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | BCV72,215和MMBT2484LT1G的区别 | |
型号: BC846A-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 NPN 350mW | 功能相似 | 三极管 | BCV72,215和BC846A-7-F的区别 |