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BLF578,112

BLF578,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

BLF578 系列 10 - 500 MHz 24 dB 功率 LDMOS 晶体管 - SOT539

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 40mA 225MHz 24dB 1200W SOT539A


得捷:
RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 88A 5-Pin SOT-539A Blister


富昌:
BLF578 系列 10 - 500 MHz 24 dB 功率 LDMOS 晶体管 - SOT539


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 88A 5-Pin SOT-539A Blister


Verical:
Trans RF FET N-CH 110V 88A 5-Pin SOT-539A Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.01 to 0.5 GHz, 1200 W, 26 dB, 50 V, LDMOS, SOT-539A


BLF578,112中文资料参数规格
技术参数

频率 225 MHz

额定电流 88 A

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 1200 W

增益 24 dB

测试电流 40 mA

输入电容Ciss 403pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF578,112引脚图与封装图
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在线购买BLF578,112
型号 制造商 描述 购买
BLF578,112 Ampleon USA BLF578 系列 10 - 500 MHz 24 dB 功率 LDMOS 晶体管 - SOT539 搜索库存