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BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3Pin SOT-502A Bulk

RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 13.5dB 120W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A


立创商城:
BLS6G2731-120,112


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin SOT-502A Bulk


富昌:
BLS6G2731 系列 2.7 - 3.1 GHz 6 W LDMOS S-波段 雷达 功率晶体管 - SOT502


RfMW:
RF Power Transistor, 2.7 to 3.1 GHz, 120 W, 13.5 dB, 32 V, LDMOS, SOT-502A


BLS6G2731-120,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.7GHz ~ 3.1GHz

上升时间 20 ns

输出功率 120 W

增益 13.5 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLS6G2731-120,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLS6G2731-120,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3Pin SOT-502A Bulk 搜索库存