容差 ±5 %
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1.3 W
测试电流 45 mA
稳压值 4.7 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1.3 W
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
封装 DO-41
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 -0.65 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV85-C4V7,113 | NXP 恩智浦 | DO-41 4.7V 1.3W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV85-C4V7,113 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO-204 | 当前型号 | DO-41 4.7V 1.3W | 当前型号 | |
型号: 1N4732A,113 品牌: 恩智浦 封装: DO-204AL | 类似代替 | DO-41 4.7V 1W | BZV85-C4V7,113和1N4732A,113的区别 | |
型号: ZPY4.7 品牌: Diotec Semiconductor 封装: | 功能相似 | Silicon-Power-Z-Diodes non-planar technology | BZV85-C4V7,113和ZPY4.7的区别 | |
型号: 1N4732A 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 1N4732A ZENER DIODE 4.7V 1W 5% DO-41 CASE | BZV85-C4V7,113和1N4732A的区别 |