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BLF888A,112

BLF888A,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 600W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-593A

RF Mosfet LDMOS(双),共源 50 V 1.3 A 860MHz 21dB 600W SOT539A


得捷:
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Blister


富昌:
BLF888 系列 470 - 860 MHz 600 W LDMOS 射频 功率 晶体管 - SOT979


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.86 GHz, 600 W, 20 dB, 50 V, LDMOS, SOT-593A


BLF888A,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 600 W

增益 21 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 220pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF888A,112引脚图与封装图
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在线购买BLF888A,112
型号 制造商 描述 购买
BLF888A,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 600W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-593A 搜索库存