BLF8G20LS-400PVU
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF8G20LS-400PVU中文资料参数规格
技术参数
频率 1.81GHz ~ 1.88GHz
输出功率 95 W
增益 19 dB
测试电流 3.4 A
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 28 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 SOT-1242
外形尺寸
高度 5.5 mm
封装 SOT-1242
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube, Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF8G20LS-400PVU引脚图与封装图
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在线购买BLF8G20LS-400PVU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF8G20LS-400PVU | Ampleon USA | RF Power Transistor, 1.805 to 1.995GHz, 19dB Gain, 400W, LDMOS, SOT1242B | 搜索库存 |
替代型号BLF8G20LS-400PVU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF8G20LS-400PVU 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 1.805 to 1.995GHz, 19dB Gain, 400W, LDMOS, SOT1242B | 当前型号 |
| 型号： BLF8G20LS-400PVJ 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 65V 9Pin SOT-1242B T/R | BLF8G20LS-400PVU和BLF8G20LS-400PVJ的区别 |