BLF645,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 100W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT-540A

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 32V 900mA 1.3GHz 16.5dB 100W LDMOST

得捷:
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 5-Pin LDMOST Bulk

富昌:
BLF645 系列 1300 Mhz 32 V 100 W 宽带功率 LDMOS 晶体管 - SOT540A

RfMW:
RF Power Transistor, 0 to 1.4 GHz, 100 W, 18 dB, 32 V, LDMOS, SOT-540A

BLF645,112中文资料参数规格

技术参数

频率 1.3 GHz

输出功率 100 W

增益 16.5 dB

测试电流 900 mA

输入电容Ciss 69pF @32VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-540

外形尺寸

封装 SOT-540

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF645,112引脚图与封装图

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BLF645,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 100W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT-540A	搜索库存