锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BLC8G27LS-210PVY

BLC8G27LS-210PVY

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS

RF Mosfet LDMOS(双),共源 28 V 1.73 A 2.6GHz ~ 2.7GHz 17dB 65W 8-DFM


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin DFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 200 W, 17 dB, 28 V, SOT1251-3, LDMOS


BLC8G27LS-210PVY中文资料参数规格
技术参数

频率 2.6GHz ~ 2.7GHz

输出功率 65 W

增益 17 dB

测试电流 1.73 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 9

封装 SOT-1251-3

外形尺寸

封装 SOT-1251-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLC8G27LS-210PVY引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLC8G27LS-210PVY
型号 制造商 描述 购买
BLC8G27LS-210PVY Ampleon USA RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS 搜索库存
替代型号BLC8G27LS-210PVY
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLC8G27LS-210PVY

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS

当前型号

型号: BLC8G27LS-210PVZ

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS

BLC8G27LS-210PVY和BLC8G27LS-210PVZ的区别