BLM7G1822S-80PBGY

Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS（双） 28 V 240 mA 2.17GHz 28dB 8W 16-HSOP

得捷:
RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122

艾睿:
LDMOS 2-STAGE POWER MMIC

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 16-Pin HSOP T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 1.805 to 2.170 GHz, 80 W, 28 dB, 28 V, SOT1212-2, LDMOS

BLM7G1822S-80PBGY中文资料参数规格

技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 8 W

增益 28 dB

测试电流 240 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 16

封装 SOT-1211-2

外形尺寸

封装 SOT-1211-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLM7G1822S-80PBGY引脚图与封装图

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BLM7G1822S-80PBGY	Ampleon USA	RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS	搜索库存