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BLF647P,112

BLF647P,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT-1121A

RF Mosfet LDMOS(双),共源 32 V 100 mA 1.3GHz 18dB 200W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin CDFM Bulk


富昌:
BLF647 系列 1 - 1500 MHz 200 W 65 V LDMOS RF 功率 晶体管 - SOT-1121A


RfMW:
RF Power Transistor, 0 to 1.4 GHz, 200 W, 18 dB, 32 V, LDMOS, SOT-1121A


BLF647P,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1.3 GHz

输出功率 200 W

增益 18 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 78pF @32VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1121

外形尺寸

封装 SOT-1121

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF647P,112引脚图与封装图
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在线购买BLF647P,112
型号 制造商 描述 购买
BLF647P,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT-1121A 搜索库存