
容差 ±5 %
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1300 mW
测试电流 25 mA
稳压值 10 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AL
长度 4.8 mm
宽度 2.6 mm
高度 2.6 mm
封装 DO-204AL
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 6.6 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV85-C10,113 | NXP 恩智浦 | 1.3W,BZV85 系列,NXP Semiconductors ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV85-C10,113 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO-204AL | 当前型号 | 1.3W,BZV85 系列,NXP Semiconductors### 齐纳二极管,NXP Semiconductors | 当前型号 | |
型号: BZV85-C10,133 品牌: 恩智浦 封装: SOT353 | 类似代替 | DO-41 10V 1.3W | BZV85-C10,113和BZV85-C10,133的区别 | |
型号: BZV85-C10 品牌: 安世 封装: DO-41 | 类似代替 | 齐纳二极管 1.3W,BZV85 系列,Nexperia### 齐纳二极管,Nexperia | BZV85-C10,113和BZV85-C10的区别 | |
型号: BZV85C10 品牌: Continental Device 封装: | 功能相似 | Zener Diode, 10V VZ, 5%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-41 | BZV85-C10,113和BZV85C10的区别 |