BZX55B62-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 1.5V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2.5 mA
稳压值 62 V
正向电压Max 1.5V @200mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-35-2
外形尺寸
长度 3.9 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.7 mm
封装 DO-35-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZX55B62-TAP引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX55B62-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Zener Single 62V 2% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo | 搜索库存 |