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BLF6G21-10G,112

BLF6G21-10G,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin CDIP SMD T/R

RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 700mW 2-CSMD


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin CDIP SMD Bulk


富昌:
BLF6G21 系列 2110 - 2170 Mhz 28 V 2 A 功率 LDMOS 晶体管 - SOT538A


RfMW:
RF Power Transistor, 0.0036 to 2.2 GHz, 10 W, 18.5 dB, 28 V, LDMOS, SOT-538A


BLF6G21-10G,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 10 W

增益 18.5 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 CDIP-2

外形尺寸

封装 CDIP-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF6G21-10G,112引脚图与封装图
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在线购买BLF6G21-10G,112
型号 制造商 描述 购买
BLF6G21-10G,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin CDIP SMD T/R 搜索库存
替代型号BLF6G21-10G,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF6G21-10G,112

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin CDIP SMD T/R

当前型号

型号: BLF6G21-10G,135

品牌: Ampleon USA

封装: SOT-538A

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BLF6G21-10G,112和BLF6G21-10G,135的区别