BLF8G20LS-200V,115
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Ampleon USA
分立器件
BLF8G20LS-200V,115中文资料参数规格
技术参数
频率 1.81GHz ~ 1.88GHz
输出功率 55 W
增益 17.5 dB
测试电流 1.6 A
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
引脚数 7
封装 SOT-1120
外形尺寸
高度 4.75 mm
封装 SOT-1120
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF8G20LS-200V,115引脚图与封装图
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在线购买BLF8G20LS-200V,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF8G20LS-200V,115 | Ampleon USA | Trans MOSFET N-CH 65V 7Pin SOT-1120B T/R | 搜索库存 |
替代型号BLF8G20LS-200V,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF8G20LS-200V,115 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 65V 7Pin SOT-1120B T/R | 当前型号 |
| 型号： BLF8G20LS-200V,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 200W, 17.5dB, 28V, SOT1120B, LDMOS | BLF8G20LS-200V,115和BLF8G20LS-200V,112的区别 |