容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 830 mW
测试电流 5 mA
稳压值 4.7 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 375 mW
耗散功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123F
封装 SOD-123F
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 -1.65 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BZT52H-B4V7,115 | NXP 恩智浦 | SOD-123F 4.7V 830mW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BZT52H-B4V7,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT353 | 当前型号 | SOD-123F 4.7V 830mW | 当前型号 | |
型号: BZT52H-C4V7,115 品牌: 恩智浦 封装: SOD-123F | 类似代替 | NXP BZT52H-C4V7,115 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZT52H-B4V7,115和BZT52H-C4V7,115的区别 | |
型号: BZT52H-B5V1,115 品牌: 恩智浦 封装: SOT353 | 类似代替 | NXP BZT52H-B5V1,115 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZT52H-B4V7,115和BZT52H-B5V1,115的区别 | |
型号: BZT52H-B4V7 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Zener Diode | BZT52H-B4V7,115和BZT52H-B4V7的区别 |