BLP8G21S-160PVY

Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 6Pin HSOP-F T/R

RF Mosfet LDMOS（双），共源 28 V 600 mA 1.88GHz ~ 1.92GHz 17.5dB 20W 6-HSOPF

得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 6-Pin HSOP-F T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 1880- 2025 MHz, 160 W, 17.5 dB, 28 V, LDMOS, Plastic

BLP8G21S-160PVY中文资料参数规格

技术参数

频率 1.88GHz ~ 1.92GHz

输出功率 20 W

增益 17.5 dB

测试电流 600 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-1221-1

外形尺寸

封装 SOT-1221-1

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLP8G21S-160PVY引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BLP8G21S-160PVY

型号	制造商	描述	购买
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA	Trans RF MOSFET N-CH 65V 6Pin HSOP-F T/R	搜索库存