BLM7G1822S-40ABGY

Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 40W, 31.5dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS（双） 28 V 20 mA 2.17GHz 31.5dB 2W 16-HSOP

得捷:
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122

艾睿:
RF Amp Dual MMIC Amp 2.17GHz 65V 16-Pin HSOP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 16-Pin SOT-1212 T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 1.805 to 2.170 GHz, 40 W, 31.5 dB, 28 V, SOT1212-2, LDMOS

BLM7G1822S-40ABGY中文资料参数规格

技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 2 W

增益 31.5 dB

测试电流 20 mA

工作温度Max 225 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 16

封装 SOT-1212-2

外形尺寸

高度 3.6 mm

封装 SOT-1212-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLM7G1822S-40ABGY引脚图与封装图

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BLM7G1822S-40ABGY	Ampleon USA	RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 40W, 31.5dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS	搜索库存