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BLF8G10LS-300PJ

BLF8G10LS-300PJ

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin SOT-539B T/R

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 2A 760.5MHz ~ 800.5MHz 20.5dB 65W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-539B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 0.7 to 1.0 GHz, 300 W, 20.5 dB, 28 V, LDMOS


BLF8G10LS-300PJ中文资料参数规格
技术参数

频率 760.5MHz ~ 800.5MHz

输出功率 65 W

增益 20.5 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF8G10LS-300PJ引脚图与封装图
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在线购买BLF8G10LS-300PJ
型号 制造商 描述 购买
BLF8G10LS-300PJ Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin SOT-539B T/R 搜索库存
替代型号BLF8G10LS-300PJ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G10LS-300PJ

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin SOT-539B T/R

当前型号

型号: BLF8G10LS-300PU

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin SOT-539B Bulk

BLF8G10LS-300PJ和BLF8G10LS-300PU的区别