容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.5 W
测试电流 5 mA
稳压值 4.3 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
封装 Mini-MELF
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 -2.5 MV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV55-B4V3,115 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 4.3V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV55-B4V3,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO-213AC | 当前型号 | Mini-MELF 4.3V 0.5W1/2W | 当前型号 | |
型号: TZMB4V3-GS08 品牌: 威世 封装: SOD-80 | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 SMT 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor | BZV55-B4V3,115和TZMB4V3-GS08的区别 | |
型号: BZT52H-C4V3 品牌: 恩智浦 封装: SOD-123F | 功能相似 | NXP BZT52H-C4V3 单管二极管 齐纳, 4.3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C | BZV55-B4V3,115和BZT52H-C4V3的区别 | |
型号: 1N5229 品牌: EIC 封装: | 功能相似 | ZENER DIODES | BZV55-B4V3,115和1N5229的区别 |