BLF8G10LS-270GVJ

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.79 to 0.96GHz, 270W, 19.5dB, 28V, SOT1244C, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 2A 871.5MHz ~ 891.5MHz 19.5dB 67W CDFM6

得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 0.79 to 0.96 GHz, 270 W, 19.5 dB, 28 V, SOT1244C, LDMOS

Win Source:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C

BLF8G10LS-270GVJ中文资料参数规格

技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

输出功率 67 W

增益 19.5 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

高度 4.75 mm

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G10LS-270GVJ引脚图与封装图

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BLF8G10LS-270GVJ	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0.79 to 0.96GHz, 270W, 19.5dB, 28V, SOT1244C, LDMOS	搜索库存