BLP8G27-10Z

Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 0.70 to 2.7GHz, 17dB, 10W, 28V, SOT1371-1, LDMOS

RF Mosfet LDMOS（双），共源 28 V 110 mA 2.14GHz 17dB 2W

得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 16-Pin HVSON EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 28V 16-Pin SVSON T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 0.70 to 2.7 GHz, 17 dB, 10 W, 28V, SOT1371-1, LDMOS

BLP8G27-10Z中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

输出功率 10 W

增益 17 dB

测试电流 110 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 16

封装 VDFN-16

外形尺寸

封装 VDFN-16

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLP8G27-10Z引脚图与封装图

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BLP8G27-10Z	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0.70 to 2.7GHz, 17dB, 10W, 28V, SOT1371-1, LDMOS	搜索库存