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BC847BS,135

BC847BS,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC847BS,135中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC847BS,135引脚图与封装图
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在线购买BC847BS,135
型号 制造商 描述 购买
BC847BS,135 NXP 恩智浦 NPN/NPN 300 mW 45 V 100 mA 表面贴装 通用 晶体管 - TSSOP-6 搜索库存
替代型号BC847BS,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847BS,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: 6-TSSOP NPN 400mW

当前型号

NPN/NPN 300 mW 45 V 100 mA 表面贴装 通用 晶体管 - TSSOP-6

当前型号

型号: BC847BS-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 NPN 200mW

功能相似

BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363

BC847BS,135和BC847BS-7-F的区别

型号: BC847BDW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 45V 100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G.  双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363

BC847BS,135和BC847BDW1T1G的区别

型号: BC847BDW1T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 45V 100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

BC847BS,135和BC847BDW1T3G的区别