BLF6G10LS-160RN,11
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Ampleon USA
主动器件
BLF6G10LS-160RN,11中文资料参数规格
技术参数
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
额定电流 39 A
输出功率 32 W
增益 22.5 dB
测试电流 1.2 A
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G10LS-160RN,11引脚图与封装图
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在线购买BLF6G10LS-160RN,11
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G10LS-160RN,11 | Ampleon USA | Trans RF MOSFET N-CH 65V 39A 3Pin SOT-502B Blister | 搜索库存 |
替代型号BLF6G10LS-160RN,11
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF6G10LS-160RN,11 品牌： Ampleon USA 封装： SOT-502B | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 39A 3Pin SOT-502B Blister | 当前型号 |
| 型号： BLF6G10-160RN,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF FET LDMOS 65V 22.5dB SOT502A | BLF6G10LS-160RN,11和BLF6G10-160RN,112的区别 |
| 型号： BLF6G10LS-160RN:11 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 39A 3Pin SOT-502B Blister | BLF6G10LS-160RN,11和BLF6G10LS-160RN:11的区别 |