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BLF8G22LS-270J

BLF8G22LS-270J

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 270W, 17.7dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 2.4A 2.11GHz ~ 2.17GHz 17.7dB 80W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 270 W, 17.7 dB, 28 V, SOT502B, LDMOS


BLF8G22LS-270J中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 80 W

增益 17.7 dB

测试电流 2.4 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G22LS-270J引脚图与封装图
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在线购买BLF8G22LS-270J
型号 制造商 描述 购买
BLF8G22LS-270J Ampleon USA RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 270W, 17.7dB, 28V, SOT502B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF8G22LS-270J
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G22LS-270J

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 270W, 17.7dB, 28V, SOT502B, LDMOS

当前型号

型号: BLF8G22LS-270U

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 270W, 17.7dB, 28V, SOT502B, LDMOS

BLF8G22LS-270J和BLF8G22LS-270U的区别