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BLF571,112

BLF571,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.01 to 0.23GHz, 20W, 27.5dB, 50V, LDMOS, SOT-467C

RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 225MHz 27.5dB 20W SOT467C


得捷:
RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 3.6A 3-Pin LDMOST Bulk


富昌:
BLF571 系列 10 - 500 MHz 高频 / 甚高频 功率 LDMOS 晶体管 - SOT467C


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 110V 3.6A 3-Pin LDMOST Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 0.01 to 0.23 GHz, 20 W, 27.5 dB, 50 V, LDMOS, SOT-467C


BLF571,112中文资料参数规格
技术参数

频率 225 MHz

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 20 W

增益 27.5 dB

测试电流 50 mA

输入电容Ciss 22.9pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 LDMOST

外形尺寸

封装 LDMOST

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF571,112引脚图与封装图
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在线购买BLF571,112
型号 制造商 描述 购买
BLF571,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.01 to 0.23GHz, 20W, 27.5dB, 50V, LDMOS, SOT-467C 搜索库存